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元件参数资料
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参数目录36948
> TIP112G TRANS DARL NPN 2A 100V TO220AB
型号:
TIP112G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
ON Semiconductor
描述:
TRANS DARL NPN 2A 100V TO220AB
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
TIP112G PDF
标准包装
50
系列
-
晶体管类型
NPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
2A
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
100V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
2.5V @ 8mA,2A
电流 - 集电极截止(最大)
2mA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
1000 @ 1A,4V
功率 - 最大
2W
频率 - 转换
-
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商设备封装
TO-220AB
包装
管件
其它名称
TIP112GOS
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